T/R组件，全称发射/接收组件(Transmit/Receive Module)，又称T/R模块，是有源相控阵雷达天线的关键部件。T/R组件的性能在很大程度上决定了有源相控阵雷达的性能，且T/R组件的生产成本决定了有源相控阵雷达的推广应用前景-。

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第一章 产业概述：T/R组件的定义、价值与产业链

1.1 T/R组件的技术原理

从技术构成来看，T/R组件集成了发射信号放大、接收信号低噪声放大、移相、衰减及波束控制开关等多种功能，能够独立完成对电磁波的辐射与接收-。

具体而言，每个T/R组件包含发射功率放大器、低噪声放大器、移相器、衰减器以及天线波束控制电路等核心单元，用于实现对发射信号的放大、对接收信号的放大以及对信号幅度、相位的精确控制。

一部有源相控阵雷达通常包含成千上万个T/R组件，这些组件在数字控制下协同工作，实现对雷达波束方向、形状的瞬时电控捷变。

1.2 有源相控阵雷达的原理与T/R组件的关系

有源相控阵雷达与传统机械扫描雷达的本质区别在于：机械雷达依靠天线物理转动来改变波束方向，而有源相控阵雷达通过控制阵列天线中各个辐射单元的馈电相位来改变方向图形状，实现波束扫描。

有源相控阵雷达天线阵面的每个天线单元中均含有源电路，收发合一的T/R组件包括发射支路、接收支路及射频转换开关及移相器-。

T/R组件是有源相控阵雷达的“心脏”。每一套T/R组件既有发射高功率放大器用于发射信号，又有低噪声放大器用于接收回波信号，通过精确控制每个天线单元的发射和接收信号，实现波束扫描、波束赋形等功能。

可以毫不夸张地说，T/R组件的性能决定了有源相控阵雷达的天线参数和整机性能，其配置数量直接决定了雷达系统的探测效能-。

1.3 产业链全景分析

T/R组件产业链呈现“金字塔”式的分层结构，每个环节都具有较高的技术壁垒和资本门槛。

上游：核心芯片与材料。 这是产业链中技术壁垒最高、毛利率最高的环节，占载荷价值30%至50%以上-。上游核心材料包括GaAs/GaN晶圆、陶瓷封装基板、特种射频元器件等，目前供应主导区为美国、日本及中国台湾-。

中国正在加速国产替代步伐，中电科13所和55所是国内仅有的两家能够大规模批量提供军用微波毫米波芯片的企业-。铖昌科技是国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品覆盖硅基、砷化镓及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品，频段覆盖1GHz至300GHz-。

中游：T/R组件设计与制造。 该环节主要从事T/R组件的设计、集成与量产制造，占载荷价值约30%至50%-。中游由专业的组件设计与制造企业主导，包括国博电子、各军工院所下属企业等-。

其中，国博电子是国内有源相控阵T/R组件的龙头企业，核心团队技术积累深厚，背景多为中电科55所工程师-。

下游：系统集成与应用。 下游覆盖雷达整机厂、通信设备制造商以及终端应用领域，包括军事雷达、电子对抗、卫星通信、5G毫米波通信、汽车雷达等-。

第二章 全球与中国T/R组件市场现状与竞争格局

2.1 全球市场规模与发展态势

据恒州诚思调研统计，2025年全球有源相控阵T/R组件市场规模约131.0亿元人民币，预计未来将持续保持平稳增长态势，到2032年市场规模将接近420.1亿元，未来六年年复合增长率约为18.2%-。

此外，据QYResearch最新市场数据统计，2032年全球有源相控阵T/R组件规模将达到约6,170百万美元，年复合增长率为19.4%(2026-2032)-。

从军用市场角度来看，全球军用T/R模块市场增长受到国防预算上升、对先进雷达和通信系统的需求增加以及向电子战能力转变的推动-。

2.2 中国市场竞争格局

中国T/R组件市场呈现显著的“双轨制”竞争格局，即国家军工院所以核心芯片环节为主导，民营企业在中下游环节逐步崛起并拓展高价值环节。

国家队主导核心芯片供应。 中电科13所和55所是国内微波毫米波T/R组件芯片的主要供应商，也是国内仅有的两家能够大规模批量提供军用微波毫米波芯片的企业-。在国家重大军工项目中，这两大院所处于不可替代的战略地位。

民营企业加速崛起。 国博电子是国内少数具备完整T/R组件和射频集成电路产研能力的供应商，从盈利能力看领先于同行，在行业中具备较强竞争力-。铖昌科技则是国内稀缺的主营相控阵T/R芯片公司，同行业竞争对手仅有中电科55所和13所-。

中国有源相控阵T/R组件行业正在经历从进口依赖到自主可控的关键转型。中国目前正在逐步扩大产能并加速国产替代步伐-。

3.1 国防现代化建设：核心驱动力

2026年，中国全国一般公共预算安排国防支出1.94万亿元，比上年执行数增长6.9%-。国防支出的核心方向之一是“加紧先进武器装备发展和国防科技创新”-。

射频与微波器件T/R组件被列为十大军工集团2026年共性需求之一，用于支撑有源相控阵雷达、电子对抗、通信数据链升级-。

值得注意的是，“十五五”军品列装周期的启动将带动军用T/R组件业务重回高点-。有源相控阵雷达正从“高精尖装备”向“通用化列装”方向迈进，T/R组件作为其核心部件，将深度受益于本轮国防现代化建设的采购放量。

3.2 卫星互联网：百亿级新兴市场

商业航天是T/R组件产业最大的增量市场之一。在低轨通信卫星中，相控阵天线作为星地高速通信的核心载荷，占整星成本约50%，而T/R组件又占载荷价值的37.5%左右，单星价值量接近千万元-。

另有数据显示，星载相控阵天线与T/R组件占整星制造成本的40%至50%以上，是决定低轨通信卫星能否实现大通量信号传输、多信道并发的核心-。

2026年中国可复用火箭有望实现突破，显著降低发射成本并提升卫星发射频次，低轨卫星组网进入加速期-。

以GW星座与千帆星座为首的中国卫星互联网星座开始大规模组网，叠加L3+级别智驾逐渐开放，中国相控阵T/R芯片行业市场规模将由2025年的24.8亿元跃升至2030年的44.9亿元，年均复合增长率为12.6%-。其中，铖昌科技在星载相控阵T/R芯片领域占据显著优势，国内市场占有率超过70%，已进入国内主流卫星厂商供应链-。

3.3 军民融合发展：从单一赛道到多元应用

当前T/R组件行业呈现“军用筑基、民用拓展”的典型发展模式-。军用领域提供了核心技术积累和稳定订单，民用领域则打开了更广阔的市场空间。2020年至2025年，行业市场规模由约8.41亿元增至24.80亿元，预计2026年至2030年将进一步增至44.82亿元-。

在民用渗透方面，T/R组件正加速向智能驾驶、5G毫米波通信、低空监测、气象雷达、智慧交通等领域拓展。相控阵T/R芯片已批量应用于星载、地面、机载等相控阵雷达及卫星通信领域，亦可应用至5G毫米波通信等场景-。

第四章 技术演进趋势：GaN、集成化与微型化

4.1 第三代半导体GaN成为主导技术方向

氮化镓T/R组件能实现更大的功率，是未来的发展趋势。伴随着第一代硅、第二代砷化镓器件的成熟应用，高密度集成的多芯片组件封装模块已成为现阶段有源相控阵的主流技术方案，而新一代武器装备对核心器件的高功率需求正在加速推动从GaAs向GaN的迁移-。

目前GaN-on-SiC技术和GaN-on-Si技术并行发展。150纳米GaN-on-SiC技术的T/R前端芯片可覆盖6-18GHz频段，集成SPDT开关、低噪声放大器和功率放大器网络于单一紧凑芯片中-。GaN-on-Si HEMT技术则以其低成本和大规模生产优势，在移动通信应用中展现出强劲潜力，能够在毫米波频段实现同时超过60%的高效率和低于1.2dB的低噪声-。

4.2 集成化与多功能化

针对相控阵雷达向多功能射频感知微系统方向发展的需求，要求设备物理层面向高集成、微小型、共形方向发展，功能层面向大带宽、多功能、多极化、多模式工作方向发展-。未来T/R组件的发展方向包括向更高频段(如毫米波、太赫兹)、更高集成度(SiP系统级封装)、更智能化(数字波束赋形与人工智能控制)演进。

4.3 国产替代加速推进

中国在GaN、GaAs及硅基工艺领域的芯片研发能力正在快速提升，产品覆盖1GHz至300GHz频段，可满足高集成度、低功耗的复杂应用需求-。中国正在逐步扩大产能并加速国产替代步伐，上游晶圆及其他半导体材料的国产化率持续提升-。

第五章 产业发展战略与投资建议

5.1 行业进入壁垒与风险提示

T/R组件行业具有极高的进入壁垒：技术壁垒方面，T/R组件的GaN芯片、功率放大器的高频段技术等均需长期研发投入，短期内难以突破-;供应链壁垒方面，上游供应链高度集中于尖端半导体与特种材料领域，晶圆供应、陶瓷封装基板等核心材料的国产化程度仍有限;资质壁垒方面，军用T/R组件市场涉及严格的军工保密资质和产品认证体系。

主要风险包括：整机单位T/R组件采购模式由对外采购变更为内部配套的风险，部分整机厂商自建T/R组件生产研制平台;原材料价格及交付波动的风险，公司生产依赖于多种晶圆、芯片、电子元件等，原材料成本是营业成本的主要构成部分-;军工产品交付受下游客户采购计划影响较大，存在季度业绩波动风险-。

5.2 投资者核心关注维度

对于投资者而言，建议重点关注以下维度：一是国防预算和“十五五”采购节奏的变化，军品列装周期启动将为T/R组件龙头带来确定性增长机会-;二是卫星互联网星座的发射进度和商业化落地节奏，2026年将迎来发射量爆发-;三是技术迭代方向，氮化镓技术路径的国产化进度和集成化水平决定行业长期竞争力。

5.3 企业战略决策建议

对于产业中的企业，建议采取以下战略：深耕军用市场，把握“十五五”军品列装周期的窗口期，持续巩固在军工领域的供应地位;抢占卫星互联网先机，加速布局星载相控阵天线和T/R组件业务，迎接百亿级增量市场;推进技术自主可控，加大在氮化镓工艺、系统级封装等核心技术的研发投入，降低对外部供应链的依赖;拓展民用场景融合，积极开拓智能驾驶、5G毫米波通信、低空经济等民用场景，形成军民融合双轮驱动的发展格局。

5.4 新人入门指南

对于希望进入T/R组件行业的市场新人，建议先从产业链图谱入手，理解上游材料、中游制造、下游应用的横向分工逻辑;重点关注国博电子、铖昌科技等核心企业的发展动向和财报分析;持续跟踪国防预算、卫星互联网发射计划等宏观政策信号;从技术角度理解氮化镓与砷化镓的性能差异及其应用场景选择。

结语

2026年至2030年将是中国T/R组件产业发展的关键窗口期。一方面，“十五五”军品列装周期的启动为产业提供了稳定的基本盘;另一方面，卫星互联网、低空经济、智能驾驶等新场景的爆发式增长正在打开百亿级乃至千亿级的增量市场空间。

在技术端，以氮化镓为代表的第三代半导体技术正在推动产业向更高功率、更高集成度演进;在供给端，国产替代进程加速推进，民营企业正在从边缘走向舞台中央。

对于投资者而言，T/R组件产业兼具“军工刚需”与“民用成长”的双重属性;对于企业而言，战略选择的关键在于在军用市场夯实地基、在民用蓝海抢占先机;对于新人而言，这是一个技术壁垒高、成长空间大、兼具战略意义的优质赛道。

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部分内容涉及对未来趋势的预测，由于市场环境、政策变化、技术演进等多种不确定因素，实际发展情况可能与报告预测存在偏差。读者应结合自身情况进行独立分析和判断。不构成对企业经营状况的权威认定或价值判断。