新洁能获得发明专利授权：“屏蔽栅功率半导体器件”
2024年09月07日 阅读:58832
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“屏蔽栅功率半导体器件”，专利申请号为CN202010490025.X，授权日为2024年9月6日。
专利摘要：本发明涉及一种屏蔽栅功率半导体器件，它包括栅极金属、源极金属、沟槽、屏蔽栅多晶硅、栅极多晶硅、屏蔽栅接触孔、栅极接触孔、漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、场氧层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、栅氧层、绝缘介质层、屏蔽栅总线金属与栅极总线金属；还包括屏蔽栅极电阻Rs，屏蔽栅极电阻Rs连接在屏蔽栅总线金属与源极金属之间。本发明能有效地防止屏蔽栅功率MOSFET的栅极电压、漏源电压、漏源电流在反向恢复过程中出现剧烈的震荡现象，而且屏蔽栅极电阻Rs越大，波形震荡越小。本发明的结构不影响器件的静态参数。
今年以来新洁能新获得专利授权26个，较去年同期增加了85.71%。结合公司2024年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4046.81万元，同比减13.75%。
数据来源：天眼查APP
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