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4月29日，宏微科技(688711)披露2025年年度报告。报告期内，公司实现营业收入13.48亿元，同比增长1.23%；归属于上市公司股东的净利润1711.49万元，同比实现扭亏为盈。
行业回暖叠加结构优化，全年业绩实现扭亏
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2025年全球半导体市场持续扩张，中国作为核心增长引擎，凸显市场潜力与国产替代空间。同时，功率半导体已深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮，其下游应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与场景需求共同推动行业发展。
年报显示，2025年宏微科技全年实现营收和利润双增，毛利率同比回升，经营质量持续改善。公司表示，报告期内功率半导体行业景气度回升，公司产品结构和客户结构不断优化，同时公司对长账龄呆滞存货实施集中清理处置，资产减值损失计提规模同比显著下降，共同驱动盈利水平大幅提升。
研发投入持续加码，技术成果加速落地
报告期内，公司聚焦功率半导体核心技术迭代，继续保持研发投入强度，关键产品完成开发、认证、量产与客户导入。年报显示，2025年公司研发投入合计1.15亿元，同比增长5.10%；研发投入总额占营业收入比例为8.56%，较上年提升0.32个百分点。
芯片产品方面，公司1000V/1200V M7iU系列IGBT和M7d FRD芯片已完成开发和认证，并实现量产；公司首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并通过可靠性验证；公司自主研发的GaN 650V 75mohm芯片研制成功，已通过可靠性验证，正进入客户导入阶段。
模块产品方面，公司依托自主研制的M7i芯片平台完成系列化功率模块产品开发；光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品实现批量交付；不间断电源系统定制的三电平SiC混合模块完成开发并实现批量供货。
SiC、GaN同步推进，“一体两翼”布局新兴应用场景
公司表示，以SiC和GaN为代表的第三代半导体快速渗透，正在重塑产业竞争格局。宏微科技的研发与产品布局，正从传统工业控制、新能源发电等领域，进一步延伸至高端算力电源、数据中心能源效率提升、工程机械电动化等应用方向。
年报显示，公司自主研发的NCB SiC模块成功通过海外主流AI服务器厂商整机认证，实现小批量供货，开始切入高端算力电源核心供应链。与此同时，公司与北京怀柔实验室达成SiC技术成果转化战略合作，集中资源攻克高压大电流SiC芯片技术。GaN方面，子公司宏微爱赛650V GaN HEMT芯片研发成功，并斩获行家极光奖2025年度优秀产品奖。公司表示，该产品凭借第三代半导体技术平台带来的性能突破，有效降低功耗，提升数据中心能源效率。
面向2026年，宏微科技表示，将坚守“一体两翼”战略，稳固硅基IGBT/FRD产品基本盘，同时加速SiC、GaN产品增量赛道的量产转化，全面拥抱国家战略和智能化浪潮，精准布局AIDC、人形机器人、低空经济、核聚变、智能电网五大领域，深耕产业沃土、抢抓发展机遇，以更优异的业绩回报股东信任，以更突出的贡献回馈社会支持。
